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安森美半导体汽车信息娱乐系统电源方案荣获《电子工程专辑》2012中国年度电子成就奖之“电源管理最佳产品奖”

2012年02月27日18:00:00 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T

 

获奖的非同步升压控制器彰显了安森美半导体在汽车系统领域的创新技术及持续领先

 

 

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN) 的NCV8871汽车级非同步升压控制器荣获《电子工程专辑》2012中国年度电子成就奖之“电源管理最佳产品奖”。

 

此中国年度电子成就奖表彰在中国大陆推动创新电子设计且在当今电子产业有顶尖表现的公司及

产品。

 

安森美半导体电源及便携产品全球销售及营销高级总监郑兆雄先生说:“我们的产品获得业界权威奖项的表彰,我们备感荣幸;这奖项也有力地认可了我们的产品开发,证明了我们在汽车应用电源管理领域持续处于领先地位。我们将继续致力于开发创新及高性能的技术和产品,提供高能效的汽车方案,简化设计流程并缩短设计时间。”

 

NCV8871是一款输入电压范围为3.2伏(V)至44 V的宽输入电压器件,能用于驱动外部N沟道MOSFET。 此器件包含的内部稳压器为门驱动器提供电荷,它在休眠模式下的静态电流为3.0微安(µA),使功耗降至最低。它还具有可同步开关频率特性,提供两种分别可设定为典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本。峰值电流模式控制及内部斜坡补偿确保这器件在宽汽车电池电压范围内稳定工作,并在电流限制值被超过的情况下,通过在开关周期的剩余部分关闭电源开关,确保这器件在电流故障条件下受到保护。这器件还藉热关闭机制(温度阈值为170 ℃)及3.1 V欠压锁定来提供更多保护。

 

NCV8871可灵活编程,能根据要求提供其它不同频率以供选择。更多其它选择包括不同的斜坡补偿值、限流设定点,以及配接多种MOSFET的不同门驱动电压。这器件还支持多种拓扑结构配置,包括升压、反激、单端初级电感转换器(SEPIC)及多相。升压拓扑结构下的输出功率范围为数瓦(W)到最高200 W。

 

NCV8871的工作结点温度范围为−40 ℃至150℃。这器件采用无铅、符合RoHS指令的SOIC-9封装。

 

 

关于安森美半导体

安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战,既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。

 

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