您好,欢迎光临中国电子应用网![登录] [免费注册] 返回首页 | | 网站地图 | 反馈 | 收藏
在应用中实践
在实践中成长
  • 应用
  • 专题
  • 产品
  • 新闻
  • 展会
  • 活动
  • 招聘
当前位置:中国电子应用网 > 新闻中心 > 正文

安森美半导体推出全系列双倍数据速率(DDR)终端稳压器

2015年05月28日12:45:58 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T

最新高性能集成方案提供有效的源极/汲极限流和远程感测功能,用于智能手机、消费电子、电脑和汽车应用

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号: ON),推出一系列新的高性能器件进一步加强了低压降(LDO)线性稳压器产品阵容,以支持双倍数据速率(DDR)内存。NCP51200、 NCP51400、 NCP51510和NCP51199采用内置功率MOSFET,针对在电脑、数据网络、工业和手持消费市场等广泛应用中的特定应用如SDRAM DIMM内存、伺服器、路由器、智能手机、平板电脑平台、机顶盒、智能电视、打印机和个人电脑/笔记本电脑主机板。还提供经AEC-Q100认证的版本用于汽车应用如嵌入式GPS定位系统、信息娱乐和无线网络及蓝牙通信。

这些高性能LDO支持DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4 标准,终端电压(VTT)低至500毫伏(mV)。当与DDR4和LPDDR4使用时,每一种的主动源电流和汲电流能力达2安培(A)。此外,当使用DDR4 和LPDDR4时,NCP51145可支持高达1.2 A。NCP/NCV51199可为DDR2和DDR3分别提供2 A和1.5 A源汲电流,而NCP51200和NCP51510指定运行于3 A峰值电流并支持远程感测。这些高度集成的DDR终端LDO的优势还包括软启动、片上热关断和(对一些器件) 欠压锁定机制。每一款器件都有高速差分放大器,对线性电压和负载电流瞬变提供超快响应。所有这些器件还都兼容DDR1 和DDR2 ,易于升级到更新的DDR内存。工作温度范围指定为-40 °C 至 +125 °C,可扩展至+150 °C用于汽车版本。

安森美半导体集成电路产品副总裁Simon Keeton说:“DDR内存广泛扩展至许多非传统产品如连接和物联网(IoT)促使增强的数据通信。我们现为整个DDR市场提供全面的变革器件,适用于新设计项目,以及直接替代现有器件;但具更高性能以支持将来内存升级。NCP51400和NCP51510是很先进的集成电路(IC),能支持下一代DDR技术,而NCP51145结合卓越的性能及有吸引力的价格。此外,我们提供通过汽车认证(AEC-Q100)的版本,使最新的信息娱乐和安全系统能跟上新车客户期望的数据要求。

封装和定价
扩展了的15个NCP51xxx LDO 方案提供3 种不同的封装,包括8只引脚的SOIC-EP、8只引脚2x2 mm的DFN和10只引脚3x3 mm的DFN封装。每3,000片批量的单价范围从0.07美元至0.195美元。

关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源和信号管理、逻辑、标准及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗及军事/航空应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。 
网友评论:已有2条评论 点击查看
登录 (请登录发言,并遵守相关规定)
如果您对新闻频道有任何意见或建议,请到交流平台反馈。【反馈意见】
关于我们 | 联系我们 | 本站动态 | 广告服务 | 欢迎投稿 | 友情链接 | 法律声明
Copyright (c) 2008-2020 01ea.com.All rights reserved.
电子应用网 京ICP备12009123号-1 京公网安备110105003345号